最近花姐发现有诸多的小伙伴们对于AMD正在开发三维堆叠DRAM和SRAM技术这个问题都颇为感兴趣的，大家也都想要及时了解到AMD正在开发三维堆叠DRAM和SRAM技术相关信息，那么花姐今天就来为大家梳理下具体的关于这个问题的一些消息吧。

AMD开发了使用硅通道在矩阵之间进行连接的将DRAM和SRAM堆叠在处理器上的技术。三维堆叠技术必须弥补摩尔定律已经结束的事实。

根据Tom's Hardware的说法，总经理Forrest Norrod宣布AMD在Rice Oil and Gas HPC会议期间致力于处理器层的3D堆叠。制造商已经在堆叠芯片难题，但这适用于层叠封装技术，其中上部存储层通过标准PGA连接进行连接。这样可以有效利用空间，但不会带来高速收益。

AMD正在开发三维堆叠DRAM和SRAM技术

根据Norrod的说法，减少芯片结构不再导致频率提高。他甚至说：“有了下一个节点，如果我们不做特别的事情，那么可用的频率就会减少。” 传统上，转向较小的生产工艺会带来更低的功耗和更高的时钟速率。摩尔定律的这一结果仍然面临压力。

因此，AMD希望借助穿通硅通孔来连接堆叠的矩阵。这些是微通道，用于层之间的快速数据连接。英特尔正在研究类似的技术，去年它以Foveros的名义提出。英特尔使用这些技术来组合来自不同生产工艺的芯片组件，例如14nm I / O层和10nm核心层。AMD也在努力使其处理器模块化。该公司通过将组件与其CCIX-Gen-Z互连连接来构建Chipplet。